FDMC007N08LCDC onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 103.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC007N08LCDC onsemi
Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC007N08LCDC за ціною від 86.23 грн до 206.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC007N08LCDC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC007N08LCDC | Виробник : onsemi |
MOSFET FET 80V 64A 6.8 mOhm |
на замовлення 8726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC007N08LCDC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC007N08LCDC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V |
на замовлення 9489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMC007N08LCDC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMC007N08LCDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC007N08LCDC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8 Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 339A Mounting: SMD Case: PQFN8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 41A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMC007N08LCDC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8 Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 339A Mounting: SMD Case: PQFN8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 41A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |