FDMC008N08C onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 60.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC008N08C onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMC008N08C за ціною від 50.4 грн до 134.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC008N08C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V |
на замовлення 22427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC008N08C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
на замовлення 3813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC008N08C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC008N08C | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 38A; Idm: 273A; 57W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 38A Pulsed drain current: 273A Power dissipation: 57W Case: Power33 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMC008N08C | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 38A; Idm: 273A; 57W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 38A Pulsed drain current: 273A Power dissipation: 57W Case: Power33 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |