Продукція > ONSEMI > FDMC010N08C
FDMC010N08C

FDMC010N08C onsemi

fdmc010n08c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V
на замовлення 29400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+95.07 грн
6000+ 87.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC010N08C onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMC010N08C за ціною від 91.25 грн до 213.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC010N08C FDMC010N08C Виробник : onsemi fdmc010n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V
на замовлення 29400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.45 грн
10+ 157.9 грн
100+ 127.75 грн
500+ 106.56 грн
1000+ 91.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC010N08C FDMC010N08C Виробник : onsemi FDMC010N08C_D-2312236.pdf MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.12 грн
10+ 177.22 грн
25+ 141.49 грн
100+ 124.22 грн
250+ 117.57 грн
500+ 110.27 грн
1000+ 94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC010N08C Виробник : ON Semiconductor fdmc010n08c-d.pdf
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMC010N08C Виробник : ONSEMI 2619997.pdf Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMC010N08C FDMC010N08C Виробник : ON Semiconductor fdmc010n08c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMC010N08C Виробник : ONSEMI fdmc010n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; Idm: 206A; 52W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 206A
Power dissipation: 52W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC010N08C Виробник : ONSEMI fdmc010n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; Idm: 206A; 52W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 206A
Power dissipation: 52W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній