Продукція > ONSEMI > FDMC012N03
FDMC012N03

FDMC012N03 ONSEMI

ONSM-S-A0003586662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+106.7 грн
500+ 87.38 грн
1000+ 69.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC012N03 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC012N03 за ціною від 69.23 грн до 194.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC012N03 FDMC012N03 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+146.71 грн
10+ 129.67 грн
100+ 106.7 грн
500+ 87.38 грн
1000+ 69.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMC012N03 FDMC012N03 Виробник : onsemi fdmc012n03-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.77 грн
10+ 150.54 грн
100+ 121.82 грн
500+ 101.62 грн
1000+ 87.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC012N03 FDMC012N03 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC012N03_D-2312443.pdf MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.19 грн
10+ 167.11 грн
25+ 144.65 грн
100+ 118.23 грн
500+ 105.02 грн
1000+ 89.83 грн
3000+ 89.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC012N03 FDMC012N03 Виробник : ON Semiconductor 3655474119776768fdmc012n03.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
FDMC012N03 Виробник : ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC012N03 FDMC012N03 Виробник : onsemi fdmc012n03-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
товар відсутній
FDMC012N03 Виробник : ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній