на замовлення 2031 шт:
термін постачання 511-520 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.19 грн |
| 10+ | 52.56 грн |
| 100+ | 35.54 грн |
| 500+ | 30.19 грн |
| 1000+ | 24.57 грн |
| 3000+ | 23.12 грн |
| 6000+ | 22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC0310AS-F127 onsemi / Fairchild
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8, Mounting: SMD, Case: MLP8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 21A, On-state resistance: 5.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 36W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 52nC, Technology: PowerTrench®, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 100A, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMC0310AS-F127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMC0310AS-F127 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 19A T/R |
товар відсутній |
||
| FDMC0310AS-F127 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8 Mounting: SMD Case: MLP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 52nC Technology: PowerTrench® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
FDMC0310AS-F127 | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN |
товар відсутній |
|
|
|
FDMC0310AS-F127 | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN |
товар відсутній |
|
|
|
FDMC0310AS-F127 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET Computing MOSFET |
товар відсутній |
|
| FDMC0310AS-F127 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8 Mounting: SMD Case: MLP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 52nC Technology: PowerTrench® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |