FDMC2610 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 157.36 грн |
| 10+ | 125.66 грн |
| 100+ | 100.05 грн |
| 500+ | 79.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC2610 onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FDMC2610 за ціною від 65.5 грн до 170.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC2610 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC2610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC2610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC2610 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 42W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 397mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMC2610 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC2610 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 42W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 397mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |