Продукція > ONSEMI > FDMC2D8N025S
FDMC2D8N025S

FDMC2D8N025S onsemi

fdmc2d8n025s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.16 грн
10+ 77.98 грн
100+ 60.64 грн
500+ 48.24 грн
1000+ 39.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC2D8N025S onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: Power33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V.

Інші пропозиції FDMC2D8N025S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC2D8N025S FDMC2D8N025S Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC2D8N025S-D-1807516.pdf MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDMC2D8N025S FDMC2D8N025S Виробник : onsemi fdmc2d8n025s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V
товар відсутній