Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC3612
FDMC3612

FDMC3612 ON Semiconductor

fdmc3612-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
196+59.51 грн
197+ 59.27 грн
224+ 52.19 грн
250+ 50.21 грн
500+ 37.11 грн
Мінімальне замовлення: 196
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC3612 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC3612 за ціною від 33.08 грн до 96.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.76 грн
11+ 55.26 грн
25+ 55.03 грн
100+ 46.73 грн
250+ 43.17 грн
500+ 33.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC3612_D-2255801.pdf MOSFET 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 18021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.22 грн
10+ 77.15 грн
100+ 54.2 грн
500+ 45.9 грн
1000+ 37 грн
3000+ 35.6 грн
6000+ 33.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : onsemi fdmc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.13 грн
10+ 80.75 грн
100+ 62.97 грн
500+ 48.81 грн
1000+ 38.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ONSEMI fdmc3612-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+96.13 грн
10+ 74.52 грн
100+ 55.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC3612 Виробник : ONSEMI fdmc3612-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : onsemi fdmc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товар відсутній
FDMC3612 Виробник : ONSEMI fdmc3612-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній