FDMC4435BZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 28.73 грн |
| 6000+ | 26.35 грн |
| 9000+ | 25.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC4435BZ onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC4435BZ за ціною від 25.43 грн до 96.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 31W euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 31W euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 72225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V |
на замовлення 31074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench |
на замовлення 67028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8 Case: MLP8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 31W Kind of package: reel; tape Gate charge: 53nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 31W euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 72225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8 Case: MLP8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 31W Kind of package: reel; tape Gate charge: 53nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ Код товару: 52237 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |