FDMC510P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 62.45 грн |
| 6000+ | 57.88 грн |
| 9000+ | 55.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC510P onsemi
Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC510P за ціною від 58.12 грн до 163.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC510P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC510P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V |
на замовлення 47893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC510P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 25961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC510P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMC510P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -18A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 116nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: MLP8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -18A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 116nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: MLP8 |
товар відсутній |