на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 97.8 грн |
| 10+ | 89.03 грн |
| 25+ | 88.6 грн |
| 100+ | 78.11 грн |
| 250+ | 70.54 грн |
| 500+ | 62.83 грн |
| 1000+ | 57.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC610P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm.
Інші пропозиції FDMC610P за ціною від 58.79 грн до 144.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC610P | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 1632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC610P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET P-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC610P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC610P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC610P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMC610P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC610P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC610P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -80A; Idm: -200A; 48W; Power33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -80A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 48W Case: Power33 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMC610P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC610P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -80A; Idm: -200A; 48W; Power33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -80A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 48W Case: Power33 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |