FDMC6686P ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 99.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC6686P ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: Power 33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDMC6686P за ціною від 99.85 грн до 143.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC6686P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: Power 33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDMC6686P | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V POWER33 |
на замовлення 4135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
FDMC6686P | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33 |
на замовлення 10729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
|
|
FDMC6686P | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V POWER33 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| FDMC6686P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -56A Pulsed drain current: -377A Power dissipation: 40W Case: Power33 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| FDMC6686P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -56A Pulsed drain current: -377A Power dissipation: 40W Case: Power33 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |