Продукція > ONSEMI > FDMC7572S
FDMC7572S

FDMC7572S onsemi

FAIRS30462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
265+81.2 грн
Мінімальне замовлення: 265
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC7572S onsemi

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V.

Інші пропозиції FDMC7572S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC7572S FDMC7572S Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC7572S-D-1807758.pdf MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)