FDMC8010 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 66.31 грн |
| 6000+ | 61.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8010 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.
Інші пропозиції FDMC8010 за ціною від 53.4 грн до 149.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8010 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8010 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8010 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8010 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8010 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V |
на замовлення 8488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8010 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8010 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8010 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8010 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMC8010 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8010 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC8010 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 75A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 54W Case: Power33 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMC8010 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 75A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 54W Case: Power33 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |