FDMC8200S ON Semiconductor
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 53.42 грн |
| 220+ | 53.15 грн |
| 251+ | 46.44 грн |
| 253+ | 44.52 грн |
| 500+ | 37.05 грн |
| 1000+ | 31.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8200S ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3).
Інші пропозиції FDMC8200S за ціною від 29.31 грн до 81.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC8200S | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8200S | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMC8200S |
FSC 1121+ MLP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
FDMC8200S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A/13A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8200S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8200S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8200S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8200S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC8200S | Виробник : ONSEMI |
FDMC8200S Multi channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
FDMC8200S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW, 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8200S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW, 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
товар відсутній |