Продукція > ONSEMI > FDMC8321LDC
FDMC8321LDC

FDMC8321LDC onsemi

fdmc8321ldc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+67.12 грн
6000+ 62.2 грн
9000+ 60.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8321LDC onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDMC8321LDC за ціною від 60.27 грн до 163.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC8321LDC FDMC8321LDC Виробник : ON Semiconductor fdmc8321ldc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+107.55 грн
10+ 98.44 грн
25+ 97.46 грн
100+ 83.89 грн
250+ 75.91 грн
500+ 67.67 грн
1000+ 60.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMC8321LDC FDMC8321LDC Виробник : ON Semiconductor fdmc8321ldc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+115.83 грн
110+ 106.02 грн
111+ 104.95 грн
125+ 90.34 грн
250+ 81.75 грн
500+ 72.87 грн
1000+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 101
FDMC8321LDC FDMC8321LDC Виробник : onsemi fdmc8321ldc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
на замовлення 23561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.74 грн
10+ 119.08 грн
100+ 94.76 грн
500+ 75.25 грн
1000+ 63.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC8321LDC FDMC8321LDC Виробник : onsemi / Fairchild FDMC8321LDC_D-2312632.pdf MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.52 грн
10+ 134.45 грн
100+ 93 грн
500+ 78.38 грн
1000+ 66.43 грн
3000+ 63.04 грн
6000+ 61.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC8321LDC FDMC8321LDC Виробник : ON Semiconductor fdmc8321ldc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMC8321LDC FDMC8321LDC Виробник : ON Semiconductor fdmc8321ldc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 108A T/R
товар відсутній
FDMC8321LDC Виробник : ONSEMI fdmc8321ldc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC8321LDC FDMC8321LDC Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC8321LDC_D-2312632.pdf MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33
товар відсутній
FDMC8321LDC Виробник : ONSEMI fdmc8321ldc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
товар відсутній