FDMC8554 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 42.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8554 onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDMC8554 за ціною від 40.84 грн до 102.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC8554 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMC8554 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||
FDMC8554 | Виробник : FAIRCHID |
на замовлення 6034 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FDMC8554 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDMC8554 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDMC8554 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDMC8554 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDMC8554 | Виробник : ONSEMI | FDMC8554 SMD N channel transistors |
товар відсутній |