Продукція > ONSEMI > FDMC86012
FDMC86012

FDMC86012 onsemi

fdmc86012-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+121.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86012 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC86012 за ціною від 111.07 грн до 268.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+178.31 грн
10+ 165.55 грн
25+ 163.82 грн
100+ 142.61 грн
250+ 130.37 грн
500+ 116.82 грн
1000+ 113.91 грн
3000+ 111.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+192.02 грн
66+ 176.42 грн
100+ 153.58 грн
250+ 140.4 грн
500+ 125.8 грн
1000+ 122.68 грн
3000+ 119.62 грн
Мінімальне замовлення: 61
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : onsemi fdmc86012-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.62 грн
10+ 201.28 грн
100+ 162.82 грн
500+ 135.82 грн
1000+ 116.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86012_D-2312419.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.91 грн
10+ 223.82 грн
100+ 157.43 грн
500+ 140.16 грн
1000+ 119.57 грн
3000+ 112.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor 3654183786112034fdmc86012.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC86012 Виробник : ONSEMI fdmc86012-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 88A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 230A
Mounting: SMD
Case: Power33
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC86012 Виробник : ONSEMI fdmc86012-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 88A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 230A
Mounting: SMD
Case: Power33
товар відсутній