FDN302P

FDN302P ON Semiconductor


3658854106519508fdn302p.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN302P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDN302P за ціною від 6.47 грн до 42.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi ONSM-S-A0003585478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.52 грн
6000+ 8.94 грн
9000+ 8.61 грн
15000+ 7.97 грн
24000+ 7.04 грн
30000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.58 грн
6000+ 9 грн
9000+ 8.67 грн
15000+ 8.03 грн
24000+ 7.08 грн
30000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI FDN302P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+16.55 грн
25+ 13.91 грн
79+ 10.13 грн
216+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI FDN302P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+19.86 грн
25+ 17.33 грн
79+ 12.16 грн
216+ 11.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.3 грн
500+ 14.19 грн
1000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
372+31.5 грн
544+ 21.51 грн
550+ 21.3 грн
734+ 15.38 грн
1000+ 10.61 грн
3000+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 372
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi ONSM-S-A0003585478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 6529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.22 грн
12+ 25.11 грн
100+ 15.08 грн
500+ 13.1 грн
1000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+36.15 грн
20+ 29.53 грн
25+ 29.25 грн
100+ 19.26 грн
250+ 17.66 грн
500+ 12.69 грн
1000+ 9.46 грн
3000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi / Fairchild FDN302P_D-2312833.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 17927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.22 грн
12+ 27.79 грн
100+ 12.95 грн
1000+ 9.21 грн
3000+ 8.08 грн
24000+ 7.14 грн
45000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+42.16 грн
23+ 33.25 грн
100+ 20.3 грн
500+ 14.19 грн
1000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN302P FDN302P
Код товару: 31343
Виробник : Fairchild FDN302P.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товар відсутній
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor 3658854106519508fdn302p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній