FDN5630

FDN5630 ON Semiconductor


fdn5630-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN5630 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FDN5630 за ціною від 5.92 грн до 34.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.82 грн
6000+ 6.29 грн
12000+ 6.14 грн
18000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 6404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.27 грн
6000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.42 грн
6000+ 6.76 грн
12000+ 6.61 грн
18000+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 66
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.71 грн
9000+ 9.36 грн
24000+ 7.79 грн
45000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.71 грн
6000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 29973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.3 грн
500+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+17.67 грн
30+ 12.66 грн
85+ 9.74 грн
230+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.21 грн
25+ 15.77 грн
85+ 11.68 грн
230+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 6706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.33 грн
13+ 22.95 грн
100+ 13.75 грн
500+ 11.94 грн
1000+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi / Fairchild FDN5630_D-2312654.pdf MOSFET SSOT-3 N-CH 60V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.64 грн
13+ 25.11 грн
100+ 11.95 грн
1000+ 8.28 грн
3000+ 7.28 грн
9000+ 6.54 грн
24000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 29973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.23 грн
30+ 25.31 грн
100+ 17.3 грн
500+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній