FDN86265P ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN86265P ON Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Drain current: -0.8A, On-state resistance: 2.2Ω, Case: SuperSOT-3, Kind of channel: enhanced, Power dissipation: 1.5W, Gate-source voltage: ±25V, Type of transistor: P-MOSFET, Drain-source voltage: -150V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDN86265P за ціною від 25.24 грн до 75.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN86265P | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDN86265P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -0.8A On-state resistance: 2.2Ω Case: SuperSOT-3 Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -150V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
FDN86265P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDN86265P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDN86265P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -0.8A On-state resistance: 2.2Ω Case: SuperSOT-3 Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -150V |
товар відсутній |