Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDPF18N50
FDPF18N50

FDPF18N50 onsemi / Fairchild

FDPF18N50T_D-2312631.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.51 грн
10+ 133.93 грн
50+ 114.44 грн
100+ 110.4 грн
250+ 106.36 грн
500+ 102.32 грн
1000+ 89.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF18N50 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF18N50 за ціною від 105.88 грн до 246.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI 1793256.pdf Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+181.99 грн
10+ 135.93 грн
100+ 121.58 грн
500+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.4 грн
3+ 171.1 грн
7+ 131.83 грн
18+ 124.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.49 грн
3+ 213.21 грн
7+ 158.2 грн
18+ 148.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF18N50 Виробник : ON-Semicoductor fdpf18n50t-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+153.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDPF18N50
Код товару: 163486 		fdpf18n50t-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : onsemi fdpf18n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
товар відсутній