FDR840P Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V
на замовлення 255354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
370+ | 54.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDR840P Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDR840P за ціною від 82.38 грн до 82.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDR840P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDR840P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 255354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDR840P | Виробник : FAIRCHILD | 07+ SOT-223 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDR840P | Виробник : FAIRCHILD | SO-8 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDR840P | Виробник : FAIRCHILD | SOT-223 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDR840P | Виробник : FSC | 0532+ TSSOP-8 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDR840P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SuperSOT T/R |
товар відсутній |
||||||
FDR840P | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-8 P-CH 2.5V |
товар відсутній |