Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS2170N7
FDS2170N7

FDS2170N7 Fairchild Semiconductor

FAIRS21818-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 23636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+144.35 грн
Мінімальне замовлення: 139
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2170N7 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO FLMP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FDS2170N7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS2170N7 Виробник : FAIRCHAL FAIRS21818-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2170N7.pdf SOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7 Виробник : FAIRCHILD FAIRS21818-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2170N7.pdf SO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7 Виробник : FDS FAIRS21818-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2170N7.pdf
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7 Виробник : NS FAIRS21818-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2170N7.pdf 2004 SOP
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7 FDS2170N7 Виробник : onsemi FDS2170N7.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2170N7 FDS2170N7 Виробник : onsemi FDS2170N7.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній