Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS2670
FDS2670

FDS2670 ON Semiconductor

3905548776362463fds2670.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+82.32 грн
10+ 74.35 грн
25+ 58.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2670 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS2670 за ціною від 48.41 грн до 148.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS2670 FDS2670 Виробник : ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+90.18 грн
500+ 70.44 грн
1000+ 61.15 грн
2500+ 53.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS2670 FDS2670 Виробник : onsemi / Fairchild FDS2670_D-2312783.pdf MOSFET SO-8 N-CH 200V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.99 грн
10+ 83.48 грн
100+ 63.8 грн
500+ 57.94 грн
1000+ 51.74 грн
2500+ 50.01 грн
5000+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2670 FDS2670 Виробник : onsemi FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.42 грн
10+ 94.06 грн
100+ 74.86 грн
500+ 59.44 грн
1000+ 50.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2670 FDS2670 Виробник : ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+148.66 грн
10+ 119.53 грн
25+ 108.32 грн
100+ 90.18 грн
500+ 70.44 грн
1000+ 61.15 грн
2500+ 53.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2670 FDS2670 Виробник : ON Semiconductor 3905548776362463fds2670.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS2670 FDS2670 Виробник : onsemi FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS2670 Виробник : FSC FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670 Виробник : FSC FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+ SO-8
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670 Виробник : FAIRCHILD FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670 Виробник : FDS FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOP-8
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670 Виробник : FAIRCHILD FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670 Виробник : FAIRCHILD FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670 FDS2670 Виробник : ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS2670 FDS2670 Виробник : ON Semiconductor 3905548776362463fds2670.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2670 FDS2670 Виробник : ON Semiconductor 3905548776362463fds2670.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2670 FDS2670 Виробник : ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній