Продукція > ONSEMI > FDS3512
FDS3512

FDS3512 onsemi

fds3512-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.66 грн
10+ 170.37 грн
100+ 136.96 грн
500+ 105.6 грн
1000+ 87.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3512 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDS3512 за ціною від 78.58 грн до 201.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS3512 FDS3512 Виробник : onsemi fds3512-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.82 грн
10+ 172.03 грн
100+ 138.26 грн
500+ 106.61 грн
1000+ 88.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS3512 FDS3512 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3512_D-2312784.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.22 грн
10+ 178.44 грн
100+ 124.53 грн
500+ 102.55 грн
1000+ 85.24 грн
2500+ 78.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS3512 Виробник : FAIRCHIL fds3512-d.pdf 09+ SOP8
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512 Виробник : FAIRCHILD fds3512-d.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512 Виробник : FAIRCHILD fds3512-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512 FDS3512 Виробник : ON Semiconductor fds3512-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3512 FDS3512 Виробник : onsemi fds3512-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
товар відсутній