Продукція > ONSEMI > FDS3572
FDS3572

FDS3572 onsemi

ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.32 грн
5000+ 43.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3572 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS3572 за ціною від 42.6 грн до 122.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS3572 FDS3572 Виробник : ON Semiconductor fds3572jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3572 FDS3572 Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.17 грн
10+ 83.94 грн
100+ 66.81 грн
500+ 53.05 грн
1000+ 45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3572 FDS3572 Виробник : ON Semiconductor fds3572jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.63 грн
10+ 94.68 грн
25+ 89.08 грн
100+ 71.75 грн
250+ 62.77 грн
500+ 54.13 грн
1000+ 42.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3572 FDS3572 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3572_D-2312694.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.76 грн
10+ 94.96 грн
100+ 65.66 грн
250+ 62.53 грн
500+ 54.81 грн
1000+ 47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3572 FDS3572 Виробник : ON Semiconductor fds3572jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+122.37 грн
115+ 101.96 грн
122+ 95.93 грн
146+ 77.27 грн
250+ 67.6 грн
500+ 58.29 грн
1000+ 45.88 грн
Мінімальне замовлення: 96
FDS3572 FDS3572 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDS3572-1123474.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS3572 FDS3572 Виробник : ON Semiconductor fds3572jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3572 FDS3572 Виробник : ON Semiconductor fds3572jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3572 FDS3572 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3572 FDS3572 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній