Продукція > ONSEMI > FDS3590
FDS3590

FDS3590 ONSEMI

fds3590-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.78 грн
9+ 41.48 грн
25+ 36.63 грн
26+ 32.12 грн
70+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3590 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDS3590 за ціною від 24.05 грн до 68.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS3590 FDS3590 Виробник : onsemi fds3590-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.51 грн
10+ 47.73 грн
100+ 37.11 грн
500+ 29.52 грн
1000+ 24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS3590 FDS3590 Виробник : ONSEMI fds3590-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.13 грн
6+ 51.69 грн
25+ 43.95 грн
26+ 38.54 грн
70+ 36.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3590 FDS3590 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3590_D-2312964.pdf MOSFET SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS3590 FDS3590 Виробник : ON Semiconductor 3665492495461920fds3590.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3590 FDS3590 Виробник : ON Semiconductor 3665492495461920fds3590.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3590 FDS3590 Виробник : onsemi fds3590-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
товар відсутній