Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS3601
FDS3601

FDS3601 Fairchild Semiconductor

FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 740
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3601 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції FDS3601 за ціною від 29.58 грн до 29.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS3601 FDS3601 Виробник : ONSEMI FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
891+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 891
FDS3601 Виробник : FAIRCHILD FDS3601.pdf FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601 Виробник : FAIRCHILD FDS3601.pdf FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601 Виробник : FSC FDS3601.pdf FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 0430+ SOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601 FDS3601 Виробник : ON Semiconductor 813973714902598fds3601.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS3601 FDS3601 Виробник : onsemi FDS3601.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
FDS3601 FDS3601 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3601-1305819.pdf MOSFET SO-8
товар відсутній