FDS3692

FDS3692 onsemi


fds3692-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3692 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS3692 за ціною від 24.46 грн до 84.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS3692 FDS3692 Виробник : onsemi fds3692-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.8 грн
10+ 61.11 грн
100+ 47.55 грн
500+ 37.83 грн
1000+ 30.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3692 FDS3692 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3692_D-2313061.pdf MOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.68 грн
10+ 67.85 грн
100+ 45.95 грн
500+ 38.96 грн
1000+ 31.7 грн
2500+ 30.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3692 Виробник : Fairchild fds3692-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS3692 FDS3692 Виробник : ON Semiconductor 3662175043350300fds3692.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692 FDS3692 Виробник : ON Semiconductor 3662175043350300fds3692.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692 FDS3692 Виробник : ON Semiconductor 3662175043350300fds3692.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692 FDS3692 Виробник : ONSEMI FDS3692.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3692 FDS3692 Виробник : ONSEMI FDS3692.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній