FDS4435A onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.04 грн |
10+ | 56.6 грн |
100+ | 44.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4435A onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.
Інші пропозиції FDS4435A за ціною від 87.14 грн до 132.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS4435A | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDS4435A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDS4435A | Виробник : FAIRCHILD |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
FDS4435A | Виробник : FSC | 09+ SO-8 |
на замовлення 1097 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS4435A | Виробник : FSC |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
FDS4435A | Виробник : FAIRCHILD | SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS4435A | Виробник : FAIRCHIL | SOP8 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS4435A | Виробник : FAIRCHIL |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
FDS4435A | Виробник : FAIR | SOP8 |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS4435A | Виробник : FAI | 2001+ SMD |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS4435A | Виробник : FAI | 00+ |
на замовлення 563 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS4435A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||
FDS4435A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||
FDS4435A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||
FDS4435A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||
FDS4435A | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 P-CH -30V |
товар відсутній |