FDS4465. ONSEMI

ONSM-S-A0014832227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDS4465. ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, rohsCompliant: YES, Verlustleistung: 2.5W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), euEccn: NLR, hazardous: false, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99.

Інші пропозиції FDS4465.

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	FDS4465.	Виробник : ONSEMI	Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99	на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)