FDS4480 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 72.76 грн |
| 10+ | 57.71 грн |
| 100+ | 44.89 грн |
| 500+ | 35.71 грн |
| 1000+ | 29.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4480 onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +30V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDS4480 за ціною від 29.57 грн до 79.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS4480 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
на замовлення 9874 шт: термін постачання 196-205 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : FAIRCHIL |
09+ SOP8 |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 4863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDS4480 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS4480 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS4480 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS4480 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS4480 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |