Продукція > ONSEMI > FDS4675
FDS4675

FDS4675 ONSEMI

FDS4675.pdf Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.45 грн
6+ 62.43 грн
18+ 45.78 грн
49+ 43.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4675 ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDS4675 за ціною від 35.38 грн до 104.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS4675 FDS4675 Виробник : ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
133+88.11 грн
134+ 87.24 грн
169+ 69.07 грн
250+ 65.92 грн
500+ 53.38 грн
1000+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 133
FDS4675 FDS4675 Виробник : ONSEMI FDS4675.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.54 грн
5+ 77.8 грн
18+ 54.94 грн
49+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4675 FDS4675 Виробник : onsemi / Fairchild FDS4675_D-2312996.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 841-850 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.88 грн
10+ 92.66 грн
100+ 63.2 грн
500+ 51.81 грн
1000+ 42.49 грн
2500+ 38.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4675 FDS4675 Виробник : ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4675 Виробник : ON-Semicoductor fds4675-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4675 FDS4675 Виробник : ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4675 FDS4675 Виробник : ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4675 FDS4675 Виробник : onsemi fds4675-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4675 FDS4675 Виробник : onsemi fds4675-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній