на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4935BZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -888, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -888, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: -888W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDS4935BZ за ціною від 21.68 грн до 90.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS4935BZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4935BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4935BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -888 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: -888W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4935BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4935BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M |
на замовлення 52459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4935BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -888 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: -888W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4935BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 40nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4935BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 40nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS4935BZ | Виробник : Fairchild |
Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
FDS4935BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDS4935BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS4935BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |