на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS5351 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDS5351 за ціною від 16.16 грн до 75.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS5351 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V |
на замовлення 29791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5351 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 7276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5351 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS5351 | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDS5351 | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |