на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 25.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS5690 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDS5690 за ціною від 24.81 грн до 27.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS5690 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FDS5690 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FDS5690 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SO-8 N-CH 60V |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : FAIR | SOP8 |
на замовлення 538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : FAIRCHIL | 09+ SOP8 |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : Fairchild |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
FDS5690 | Виробник : FAIRCHILD | 07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : FAI | 99+ |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : FAIRCHILD | SOP-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : FDS | SOP-8 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : FAIRCHILD | SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V |
товар відсутній |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V |
товар відсутній |
||||||||||
FDS5690 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V |
товар відсутній |