Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDT86102LZ
FDT86102LZ

FDT86102LZ ON Semiconductor

fdt86102lz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86102LZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDT86102LZ за ціною від 57.35 грн до 170.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+104.05 грн
500+ 79.4 грн
1000+ 61.15 грн
4000+ 59.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : onsemi fdt86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.19 грн
10+ 112.52 грн
100+ 89.6 грн
500+ 71.15 грн
1000+ 60.37 грн
2000+ 57.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDT86102LZ_D-2313320.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+152.28 грн
10+ 124.83 грн
100+ 85.91 грн
250+ 79.91 грн
500+ 72.59 грн
1000+ 61.93 грн
2500+ 59 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+158.14 грн
10+ 142.25 грн
25+ 139.95 грн
100+ 108.91 грн
250+ 99.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+168.83 грн
10+ 124.76 грн
100+ 91.14 грн
500+ 62.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+170.3 грн
77+ 153.19 грн
78+ 150.71 грн
100+ 117.29 грн
250+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 69
FDT86102LZ Виробник : ON-Semicoductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+90.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI FDT86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 46mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : onsemi fdt86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
товар відсутній
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI FDT86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 46mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній