FDT86244 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 23.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86244 onsemi
Description: ONSEMI - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.106 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDT86244 за ціною від 20.36 грн до 69.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDT86244 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V |
на замовлення 5958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86244 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 37685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86244 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.106 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 29824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |