FDU3N40TU ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.38 грн |
| 19+ | 41.46 грн |
| 100+ | 28.61 грн |
| 500+ | 22.2 грн |
| 1000+ | 15.56 грн |
| 5000+ | 15.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDU3N40TU ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Інші пропозиції FDU3N40TU за ціною від 17.86 грн до 59.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDU3N40TU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V |
на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDU3N40TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 400V N-Channel |
на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDU3N40TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FDU3N40TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; Idm: 8A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.25A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| FDU3N40TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; Idm: 8A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.25A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |