Продукція > ONSEMI > FDU6N25
FDU6N25

FDU6N25 ONSEMI

FAIRS46321-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 67
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU6N25 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.4, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDU6N25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDU6N25 FDU6N25 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDU6N25-1300628.pdf MOSFET N-Channel UniFET
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDU6N25 FDU6N25 Виробник : onsemi FAIRS46321-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній