FDU8780 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
на замовлення 81309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
951+ | 21.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDU8780 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V.
Інші пропозиції FDU8780 за ціною від 31.38 грн до 31.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDU8780 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDU8780 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 81309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDU8780 | Виробник : FAIRCHILD | 06+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDU8780 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||
FDU8780 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V |
товар відсутній |
||||||
FDU8780 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET LOW VOLTAGE |
товар відсутній |