FDY4000CZ ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.21 грн |
| 6000+ | 9.98 грн |
| 9000+ | 9.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDY4000CZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDY4000CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 625mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDY4000CZ за ціною від 8.4 грн до 38.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDY4000CZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDY4000CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDY4000CZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 446mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563F Part Status: Active |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDY4000CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDY4000CZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SC89-6 COMP NCH & PCH POWER T |
на замовлення 13525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDY4000CZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY4000CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 625mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDY4000CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| FDY4000CZ | Виробник : ON-Semicoductor |
N/P-MOSFET 20V 700mΩ 446mW FDY4000CZ Fairchild TFDY4000cz кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
FDY4000CZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT563F On-state resistance: 700/1200mΩ Gate-source voltage: ±12/±8V Mounting: SMD Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Drain current: 0.6/-0.35A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20/-20V Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
FDY4000CZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 446mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563F Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
FDY4000CZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT563F On-state resistance: 700/1200mΩ Gate-source voltage: ±12/±8V Mounting: SMD Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Drain current: 0.6/-0.35A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20/-20V Kind of transistor: complementary pair |
товар відсутній |