FDZ1905PZ Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 2700 шт:
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| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 825+ | 23.64 грн |
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Технічний опис FDZ1905PZ Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 3, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WL-CSP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDZ1905PZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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FDZ1905PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 3 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Bauform - Transistor: WL-CSP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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FDZ1905PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R |
товар відсутній |
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FDZ1905PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench |
товар відсутній |