FF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 6250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 47082.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 6250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF1000R17IE4DB2BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250000mW Tray |
товар відсутній |
|
 |
FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W Tray |
товар відсутній |