FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11516.42 грн |
| 5+ | 10785.81 грн |
| 10+ | 10569.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSic, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FF11MR12W1M1B11BOMA1 за ціною від 13112.26 грн до 16568.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
 |
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray |
товар відсутній |
|||||||
 |
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete |
товар відсутній |