FF1200R12IE5PBPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 53559.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1200R12IE5PBPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FF1200R12IE5PBPSA1 за ціною від 49246.43 грн до 72026.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF1200R12IE5PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
| FF1200R12IE5PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: PP, IHM I, XHP 1,7KV Packaging: Bulk |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
FF1200R12IE5PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray |
товар відсутній |
|||||||
 |
FF1200R12IE5PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray |
товар відсутній |
|||||||
 |
FF1200R12IE5PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.5 nF @ 25 V |
товар відсутній |