FF1200R17KE3NOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.6KA 5950000mW Automotive 10-Pin IHM130-2 Tray
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1200R17KE3NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE VCES 1700V 1200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 595000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF1200R17KE3NOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1200R17KE3NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE VCES 1700V 1200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 595000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V |
товар відсутній |