Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF1400R12IP4B60BOSA1

FF1400R12IP4B60BOSA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
FF1400R12IP4B60BOSA1
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF1400R12IP4B60BOSA1 Infineon Technologies

Description: PP IHM I, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1.4kA, NTC Thermistor: Yes, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 7650 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 82000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FF1400R12IP4B60BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF1400R12IP4B60BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: PP IHM I
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1.4kA
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 7650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 82000 pF @ 25 V
товар відсутній
FF1400R12IP4B60BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF1400R12IP4_DS_v02_04_EN-3361452.pdf IGBT Modules PP IHM I
товар відсутній