FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8189.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 225A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 780W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: C Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції FF150R12KE3GB2HOSA1 за ціною від 8819.21 грн до 8819.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FF150R12KE3GB2HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 225A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 780W euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: C Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
товар відсутній |
|||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780000mW |
товар відсутній |
||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W |
товар відсутній |
||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 150A |
товар відсутній |